中新网深圳11月11日电 (朱族英)深圳市工业和信息化局局长余锡权在11日举办的国家5G中高频器件创新中心新闻媒体通气会上称,此前,工业和信息化部批复组建的国家5G中高频器件创新中心落地深圳。该创新中心聚焦新型半导体材料及工艺、5G中高频核心器件、面向射频前端的硅基毫米波集成芯片等三大研发方向。
据悉,国家5G中高频器件创新中心是继国家高性能医疗器械创新中心之后,深圳获批建设的第2家国家制造业创新中心,依托深圳市汇芯通信技术有限公司组建。
国家5G中高频器件创新中心总经理樊晓兵介绍,创新中心紧扣5G及未来通信中高频核心器件设计、制造、测试和应用等各环节关键技术,搭建硅基GaN射频和毫米波的量产技术研发中试平台。
此外,该创新中心还整合产业链优势资源,为产业链的器件企业提供技术成果从中试到量产的共性技术开发和验证的公共技术服务,从而降低企业,尤其是中小型企业在中试-量产环节的投入门槛,加速技术成果首次商用的进程,降低企业的创新成本,打通科学完整的移动通信产业链,抢占未来移动通信领域产业先机。
余锡权提及,深圳具有技术积累好、应用市场大、网络基础好、专利申请多等优势。
目前,深圳5G专利申请数量占到全球的34%,5G通信技术全球领先。此外,深圳累计建成5G基站4.93万个,5G基站密度每平方公里24.68个,率先实现5G独立组网全覆盖,为5G中高频器件技术的规模验证提供完备测试应用环境。
据了解,5G中高频器件是指应用于5G中频(Sub-6GHz)和高频(毫米波)频段的射频器件,具体包括功率放大器、滤波器、射频开关、低噪声放大器、射频收发器等。中高频器件(通信高端器件)直接决定(5G及未来)通信设备的信号功率、信号带宽、信号质量和系统功耗等多项核心参数,是(5G及未来)通信设备的核心器件。(完)
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